英飞凌 新增顶部冷却的H-DPAK半桥器件

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    随着汽车和工业应用中电源转换架构的快速发展，对开关拓扑结构、热管理和系统集成提出了新的要求。栅极驱动据外媒报道，为了满足上述需求，英飞凌科技股份公司(InfineonTechnologiesAG)推出H-DPAK，这是其顶部冷却封装系列的新成员，集成了采用750VCoolSiC™G2技术的半桥(HB)器件。750VCoolSiCG2技术能够提供现代电网和能源系统所需的高可靠性裕度。
    H-DPAK将完整的单向半桥功率级集成在单个封装中。该封装采用分体式引线框架设计，并优化了漏极焊盘，从而增强了散热效果，并确保在高密度、高功率电路板布局中符合间距要求。此外，与英飞凌成熟的Q-DPAK和TOLT封装一样，H-DPAK符合2.3mm的标准化高度，从而实现无缝的板级集成。英飞凌打造的H-DPAK是一款适用于液冷、可扩展、即插即用的解决方案，它能降低寄生回路电感，实现更干净、更快速的开关，缩小无源元件尺寸，并提供CoolSiC™技术久经考验的性能——包括出色的RDS(on)×QOSS、一流的RDS(on)×Qfr以及在雪崩、过载和短路条件下的卓越鲁棒性。