|
纵激元（成都）科技有限公司近日发布《严正声明》，回应外界对其“常温半导体脉泽”技术的质疑。声明中，该公司试图以专利授权、融资进展、第三方测试和媒体报道作为技术真实性的依据。然而，科学问题终究需要科学回答，再多的外部包装也无法绕过最基本的物理定律。我们在此针对声明中的核心论点逐一剖析。 申明截图 值得特别强调的是，声明中指称外界质疑内容“系利用人工智能技术生成，且蓄意歪曲量子电子学发展史上已有定论的基础科学事实”，这一声明本身并不成立。恰恰相反，纵激元公司宣传的将微波作为泵浦使粒子、电子、极化激元等激发到高能级，本身就违背了物理学基本定律。常见半导体禁带宽度在 1 eV 量级，对应需 10的14次方Hz 以上的泵浦频率；而微波频段仅有 10的9次方–10的11次方Hz，能量差距高达三至五个数量级，根本无法实现粒子数反转。在常温环境下，微波不可能使二维电子气极化，如果想要被极化必须施加磁场。同时，在常温下也不能用微波作为泵浦使极化激元跃迁。热噪声（kT）远远压制了微波量子效应，且电子散射耗损太大，无法维持粒子数反转。 因此，纵激元公司提出的“常温半导体脉泽技术”、“纵波极化激元（纵激元）常温凝聚态理论体系”、“基于激子极化激元技术的常温量子传感芯片”、“脉泽量子通感一体化技术（全球首个常温量子传感）”、“全球首台常温晶体管微波激射器”等技术和产品违背了物理学基本定律。 进一步说，纵激元公司标榜的在 2016 年“观测到脉泽现象”，本质上是常规射频电路中的混频现象，与真正的微波受激辐射完全无关。在微波频段、在常规半导体材料及常规电子电路条件下，根本不可能产生脉泽的受激辐射现象。 纵激元公司通过一系列的偷换概念、扭曲事实，将常见的射频电路混频现象包装为量子力学中在接近绝对零度或强磁场或光泵浦条件下才能产生的脉泽现象，实现牟利，这是严重的学术不端行为。 一、专利授权 ≠ 科学成立：所谓“核心技术”恰恰暴露理论硬伤 声明称，公司已获得“十项中国发明专利及一项美国发明专利”，并特别提及专利号ZL201910604297.5。然而，正是这份核心专利，揭示了其宣传的巨大矛盾。 该专利名为《常温半导体脉泽及其应用》，但其权利要求书和说明书披露的具体实施方式，其核心结构是“含异质结的晶体管”，具体为MOSFET或HEMT等经典半导体器件。这些是已应用数十年的成熟技术，其物理机制完全在经典半导体理论框架内。 将这样一个“旧器件”包装成颠覆性的“常温半导体脉泽量子芯”，是典型的概念混淆。专利授权仅代表该申请在程序上和形式上符合专利法的规定，绝不代表其背后宣称的物理原理通过了科学验证。 二、产品测试 ≠ 理论验证：功能实现无法证明原理颠覆 声明称产品已通过中国测试技术研究院等机构的第三方测试及用户验证。这是一个极具误导性的表述。 首先，测试报告通常只验证产品在特定条件下的某项功能或性能指标，例如它能否输出某个信号，或能否在某个场景下工作。这份报告绝不会，也绝无能力去证明“常温半导体脉泽”技术在物理学上是否正确。 一个产品能被制造出来并能实现某些功能，完全可能基于其作为经典晶体管的固有特性。用功能性的测试，去证明一个原理性的颠覆，是彻头彻尾的诡辩。 三、资本与媒体是理论包装的受害者：无法为物理定律背书 声明强调其获得“数千万元天使轮融资”，并列举《成都日报》的专题报道、2025 年建成两条生产线的规划。这些内容被用作“技术真实可信”的背书，但资本和媒体往往正是被技术包装误导的对象，而非科学真理的验证者。 对于投资机构而言，面对一个“突破性”“原创”“全球首创”的技术叙事，很容易被包装后的故事吸引。媒体的报道则以传播为主要职责，而非承担科学同行评议的角色。换言之，资本的进入与媒体的曝光，可能仅意味着叙事的成功，而非技术的成功。 我们非常好奇申明中提到的2条生产线，究竟是生产其专利中所述的普通晶体管芯片，还是生产传说中的“常温半导体脉泽量子芯”？亦或是生产具有某一功能的常规产品？ 如果是最具颠覆性的“量子芯”，那么在此之前，这款产品是在哪家具备“量子”工艺的芯片代工厂生产的？国内是否存在这样一家能够生产违背主流物理学的“量子芯”工厂？ 结语 纵激元公司的声明，试图用专利、融资、测试和报道这些外部要素，构建一个技术可信的形象，却唯独回避了对最核心问题的正面回应：如何用能量不足的微波，去实现需要高能量泵浦的半导体粒子数反转？ 科学争议，终须回归科学本身。要让纵波极化激元（简称：纵激元）跃迁到高能级需要微波一千倍以上的能量，依靠网络喧嚣来忽悠资本和媒体是不够的。我们呼吁，真正的科技创新应建立在严谨、诚实和遵循科学规律的基础上。任何试图用商业叙事绕过科学验证的行为，不仅是对投资者的不负责任，更是对中国硬科技创新生态的严重伤害。
| 
发表于 
