英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性

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    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）今日宣布，与全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。驱动芯片未来，客户可同时从英飞凌与罗姆采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升客户在设计与采购环节的便利性。
    英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁PeterWawer表示：“我们很高兴能够通过与罗姆的合作进一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中提供更丰富的选择与更大的灵活性，同时还有助于开发出能够推动低碳进程的高能效应用方案。”
    罗姆董事兼常务执行官、功率器件事业部负责人伊野和英表示：“罗姆的使命是为客户提供最佳解决方案。与英飞凌的合作将有助于拓展我们的解决方案组合，同时也是实现这一目标的重要一步。我们期待通过此次合作，能够在推进协同创新的同时降低复杂性，进一步提升客户满意度，共同开拓功率电子行业的未来。”
    作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌创新的SiC顶部散热平台（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAKDual和H-DPAK封装）。该平台将所有封装统一为2.3mm的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。
    同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构SiC模块“DOT-247”，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的DoubleTO-247IGBT产品组合新增SiC半桥解决方案。罗姆先进的DOT-247封装相比传统分立器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个TO-247封装连接的独特结构，较TO-247封装降低约15%的热阻和50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到TO-247封装的2.3倍。
    英飞凌与罗姆计划未来扩大合作范围，将涵盖采用硅基及碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带功率技术的更多封装形式。此举也将进一步深化双方的合作关系，为客户提供更广泛的解决方案与采购选择。
    SiC功率器件通过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性，同时还使更加小型化的设计成为可能。借助英飞凌与罗姆的SiC功率器件，客户可为电动汽车充电、可再生能源系统、AI数据中心等应用开发高能效解决方案，实现更高功率密度。