英飞凌推出抗辐射太空级氮化镓（GaN）驱动芯片

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    英飞凌推出RIC70115抗辐射GaN驱动芯片，耐受100kradTID与高能粒子，英飞凌igbt已量产销售。

    7月22日，据财闻海外资讯，德国半导体企业英飞凌于近日发布新型抗辐射栅极驱动芯片RIC70115，专为氮化镓（GaN）功率半导体控制设计，同时兼容硅基器件，适用于卫星等航天系统。

    该芯片可有效应对太空辐射导致的性能衰退与电路误动作，其总电离剂量（TID）耐受达100krad（Si），并已通过线性能量传递值（LET）81.9MeV・cm²/mg的高能粒子冲击验证，可覆盖低地球轨道及更高轨严苛环境。

    RIC70115集成米勒钳位功能以防电压波动引发误导通，搭载降噪电路抑制电磁干扰，并内置低压差线性稳压器（LDO），可由5V/12V输入生成4.8V驱动电压，减少外围元件使用。产品工作温度为-55℃~+125℃，符合MIL-PRF-38535军工航天标准。

    英飞凌高可靠性事业部高级副总裁迈克・米尔斯（MikeMills）表示，RIC70115将推动航天电力系统GaN技术升级。目前芯片及评估板RIC70115EVAL1已正式上市销售。